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产品简介:
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MT41K256M16HA-125 M:E TR是美光科技(Micron Technology Inc.)生产的一款DDR3L SDRAM存储器,属于高性能、低功耗的8Gb(256M×16)动态随机存取存储芯片。该型号采用FBGA封装,工作电压为1.35V,符合JEDEC标准的低电压规范,适用于对能效和稳定性要求较高的嵌入式及工业级应用场景。 主要应用场景包括:网络通信设备(如路由器、交换机)、企业级服务器内存模组、工业自动化控制系统、医疗成像设备、高端消费类电子产品以及车载信息娱乐系统等。其高可靠性和宽温工作能力(通常支持扩展温度范围)使其特别适合在严苛环境下的工业和通信设备中使用。 此外,该芯片广泛用于需要长期供货保障和稳定性能的领域,常见于固态硬盘(SSD)控制器缓存、FPGA开发平台及数据采集系统中。由于其“TR”后缀表示卷带包装,适合自动化贴片生产,因此也广泛应用于大规模电子制造流程中。 综上,MT41K256M16HA-125 M:E TR是一款面向中高端市场的低功耗DDR3L存储器,适用于追求能效比与运行稳定性的工业、通信及嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR3 SDRAM 4GBIT 800MHZ FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MT41K256M16HA-125 M:E TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 96-FBGA(9x14) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM |
| 存储容量 | 4G(256M x16) |
| 封装/外壳 | 96-TFBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 95°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.283 V ~ 1.45 V |
| 速度 | 800MHz |